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產(chǎn)品分類
更新時(shí)間：2025-10-10 
瀏覽次數(shù)：60PULSTEC 是一家在X射線分析領(lǐng)域，特別是在現(xiàn)場(chǎng)、快速、無(wú)損檢測(cè)方面享有極的高聲譽(yù)的日本公司。其最著名的產(chǎn)品系列就是 μ-X360 系列X射線單晶取向測(cè)量裝置。這款設(shè)備在全球半導(dǎo)體、功能晶體和高的端材料研究領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用。
傳統(tǒng)的高精度X射線衍射設(shè)備通常體積龐大、環(huán)境要求苛刻、測(cè)量速度慢，且需要專業(yè)的操作人員。PULSTEC μ-X360 系列的核心設(shè)計(jì)理念是打破這一局限，提供一種：
快速：數(shù)秒至數(shù)十秒內(nèi)完成測(cè)量。
無(wú)損：X射線功率極低，不會(huì)對(duì)樣品造成損傷。
便攜/緊湊：設(shè)備小巧，可放置在實(shí)驗(yàn)室臺(tái)面，甚至帶到生產(chǎn)現(xiàn)場(chǎng)。
操作簡(jiǎn)單：無(wú)需深厚的X射線衍射專業(yè)知識(shí)，普通技術(shù)人員經(jīng)過(guò)簡(jiǎn)單培訓(xùn)即可操作。
它旨在將高精度的晶體取向分析從專門的X射線實(shí)驗(yàn)室?guī)?span style="font-weight: 600;">生產(chǎn)線、研發(fā)車間和質(zhì)檢部門，實(shí)現(xiàn)100%在線或現(xiàn)場(chǎng)質(zhì)檢。
PULSTEC的裝置核心采用 X射線勞厄背反射法。這是理解其為何能如此快速測(cè)量的關(guān)鍵。
光源：設(shè)備使用一個(gè)微焦點(diǎn)X射線管，產(chǎn)生連續(xù)波長(zhǎng)的白色X射線（與單色X射線不同）。
照射：這束準(zhǔn)直后的白色X射線照射到待測(cè)的單晶樣品（如硅片、藍(lán)寶石、LiNbO?晶圓等）上。
衍射：根據(jù)布拉格定律，晶體中不同晶面族會(huì)從這束“白色"X射線中選擇滿足衍射條件的特定波長(zhǎng)進(jìn)行反射。
成像：這些被不同晶面反射的X射線，會(huì)在一維或二維的探測(cè)器上形成一系列清晰的斑點(diǎn)，稱為 “勞厄斑點(diǎn)"。
模式分析：勞厄斑點(diǎn)的分布圖案與晶體的絕對(duì)取向是一一對(duì)應(yīng)的關(guān)系。就像人的指紋一樣，不同的晶體結(jié)構(gòu)和取向會(huì)產(chǎn)生獨(dú)的一的無(wú)的二的勞厄斑點(diǎn)圖案。
設(shè)備的工作流程：
照射樣品 → 探測(cè)器捕獲勞厄斑點(diǎn)圖案 → 內(nèi)置軟件將捕獲的圖案與根據(jù)已知晶體結(jié)構(gòu)理論計(jì)算出的標(biāo)準(zhǔn)圖案進(jìn)行高速匹配和計(jì)算 → 瞬間輸出晶體的三維空間取向（歐拉角：φ, ψ, ω）、晶向偏差、晶界角度等關(guān)鍵參數(shù)。
其核心產(chǎn)品是 μ-X360 系列，根據(jù)應(yīng)用場(chǎng)景和功能有不同的型號(hào)，例如 μ-X360, μ-X360S, μ-X360n 等。
代表型號(hào)：μ-X360S
主要特點(diǎn)：
超高速測(cè)量：最快僅需1秒鐘即可完成一次完整的取向測(cè)量，非常適合在線全檢。
高精度：取向測(cè)量精度可達(dá) <0.01°，能夠檢測(cè)出極其微小的晶格偏轉(zhuǎn)。
卓的越的空間分辨率：得益于微焦點(diǎn)X射線源，測(cè)量光斑可以非常?。〝?shù)十微米量級(jí)），可以用于測(cè)量小樣品或觀察樣品上不同位置的取向變化。
無(wú)需掃描：與需要旋轉(zhuǎn)樣品臺(tái)的XRD不同，勞厄法在樣品和探測(cè)器保持靜止的狀態(tài)下即可完成測(cè)量，這是其速度快的主要原因。
絕對(duì)取向測(cè)量：可以直接給出晶體相對(duì)于樣品坐標(biāo)系（如晶圓邊緣）的絕對(duì)取向，而不僅僅是相對(duì)值。
用戶友好軟件：軟件界面直觀，通常一鍵即可完成測(cè)量和分析，自動(dòng)生成報(bào)告和圖表。
半導(dǎo)體行業(yè)
硅晶圓：確認(rèn)晶圓的晶向（100, 110, 111）、定位扁平邊/缺口的位置精度。
功率器件：對(duì)SiC（碳化硅）、GaN（氮化鎵）等寬禁帶半導(dǎo)體晶圓的取向進(jìn)行快速篩查和確認(rèn)。這對(duì)功率器件的性能和良率至關(guān)重要。
SOI晶圓：確認(rèn)表面硅層的晶體取向。
功能晶體與光學(xué)材料
激光晶體：如YAG、LiNbO?（鈮酸鋰）、LiTaO?（鉭酸鋰）等，確保加工前的坯料取向正確，否則會(huì)影響激光性能和光學(xué)轉(zhuǎn)換效率。
光學(xué)晶體：如CaF?（氟化鈣）、KDP等，用于確認(rèn)切割方位。
金屬材料研究
高溫合金單晶葉片：用于航空發(fā)動(dòng)機(jī)和燃?xì)廨啓C(jī)，確保葉片的晶體取向與設(shè)計(jì)要求一致，這是保證其高溫強(qiáng)度和蠕變性能的關(guān)鍵。
晶粒取向分析：雖然主要用于單晶，但對(duì)于大晶粒的多晶材料，也可以對(duì)單個(gè)晶粒進(jìn)行取向分析。
地質(zhì)與考古學(xué)
快速分析礦物、寶石的單晶取向。
| 特性 | PULSTEC μ-X360 (勞厄法) | 傳統(tǒng)高分辨率XRD (如四圓衍射儀) |
|---|---|---|
| 測(cè)量速度 | 極快 (秒級(jí)) | 慢 (分鐘到小時(shí)) |
| X射線 | 連續(xù)波長(zhǎng) (白色X射線) | 單色X射線 (如Cu-Kα) |
| 樣品運(yùn)動(dòng) | 通常固定不動(dòng) | 需要復(fù)雜的多軸 (θ, 2θ, φ, ψ) 掃描 |
| 輸出信息 | 絕對(duì)取向、晶界角 | 晶格常數(shù)、應(yīng)變、物相、 rocking curve |
| 操作難度 | 簡(jiǎn)單，易于上手 | 復(fù)雜，需要專業(yè)人員 |
| 主要用途 | 快速取向確認(rèn)與質(zhì)檢 | 深入的晶體結(jié)構(gòu)、質(zhì)量分析 |
日本 PULSTEC 的 μ-X360 系列X線單晶方位測(cè)量裝置 是一款革命性的工業(yè)級(jí)無(wú)損檢測(cè)儀器。它成功地將高精度的晶體學(xué)測(cè)量從實(shí)驗(yàn)室?guī)肓松a(chǎn)現(xiàn)場(chǎng)，實(shí)現(xiàn)了晶體取向測(cè)量的“工業(yè)化"和“在線化"。
其核心價(jià)值在于：
為質(zhì)量控制提供了量化標(biāo)準(zhǔn)：將原本依賴間接參數(shù)或破壞性檢測(cè)的工藝，變成了快速、無(wú)損、定量的100%全檢。
極大地提升了生產(chǎn)效率和良率：能夠即時(shí)發(fā)現(xiàn)取向錯(cuò)誤的原材料或半成品，避免后續(xù)加工資源的浪費(fèi)。
推動(dòng)了高的端材料制造的發(fā)展：特別是在第三代半導(dǎo)體、航空航天單晶葉片等領(lǐng)域，成為了工藝控制和材料篩選不的可的或的缺的“標(biāo)尺"。
如果您的工作涉及單晶材料的制備、加工或質(zhì)量控制，PULSTEC 的這款設(shè)備無(wú)疑是解決取向測(cè)量難題的最佳工具之一。
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