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更新時(shí)間：2025-10-21 
瀏覽次數(shù)：16在半導(dǎo)體領(lǐng)域，“脫殼"可以理解為：
襯底剝離： 在某些先進(jìn)工藝中（如制造柔性器件、射頻器件或轉(zhuǎn)移高質(zhì)量外延層），需要將生長(zhǎng)在“供體襯底"上的單晶外延層完整地剝離下來(lái)，并轉(zhuǎn)移到另一個(gè)“目標(biāo)襯底"上。這個(gè)過程需要像礱谷一樣，在界面處進(jìn)行精密分離，而不損傷外延層的晶體質(zhì)量。
表面處理與清潔： 在外延生長(zhǎng)之前，襯底（如硅、碳化硅、藍(lán)寶石）表面必須達(dá)到原子級(jí)的平整和潔凈。任何表面的自然氧化層、污染物或機(jī)械損傷層都像一層“殼"，必須被精準(zhǔn)去除，才能為高質(zhì)量的外延生長(zhǎng)提供完的美的“畫布"。
傳統(tǒng)的“脫殼"方法包括化學(xué)機(jī)械拋光、濕法腐蝕、干法等離子體刻蝕等，但它們各自存在損傷、污染或選擇性不足的問題。
盡管KETT技術(shù)本身是農(nóng)業(yè)機(jī)械，但其背后的設(shè)計(jì)哲學(xué)對(duì)半導(dǎo)體工藝有深刻的啟發(fā)：
高精度可控的壓力與間隙： 不是靠蠻力壓碎，而是通過精確控制兩個(gè)碾磨盤之間的壓力和間隙，實(shí)現(xiàn)稻殼的剝離而米粒完好。對(duì)應(yīng)到半導(dǎo)體，就是需要一種能精確控制作用力（機(jī)械、聲學(xué)、激光等）在納米甚至埃米級(jí)別的技術(shù)。
選擇性分離： 礱谷機(jī)利用稻殼與米粒之間材質(zhì)和結(jié)合力的差異進(jìn)行分離。在半導(dǎo)體中，這對(duì)應(yīng)于尋找不同材料界面（如外延層與襯底、外延層與犧牲層）的“弱連接點(diǎn)"，并施加精準(zhǔn)的能量實(shí)現(xiàn)選擇性剝離。
低損傷： 高精度礱谷的目標(biāo)是保持米粒的完整和光澤。同樣，半導(dǎo)體“脫殼"技術(shù)的終的極目標(biāo)是實(shí)現(xiàn)零損傷或近零損傷的分離或表面處理，保護(hù)脆弱的單晶結(jié)構(gòu)。
高效率與連續(xù)性： 礱谷機(jī)是連續(xù)作業(yè)的。這啟示半導(dǎo)體制造需要開發(fā)更高通量、更適合大規(guī)模生產(chǎn)的剝離與處理技術(shù)，以替代某些批次式的、低效的工藝。
將上述理念應(yīng)用于外延層前處理，其潛在價(jià)值主要體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面：
場(chǎng)景： 制造絕緣體上硅（SOI）、絕緣體上鍺（GOI）或更廣泛的“XOI"結(jié)構(gòu)時(shí)，需要將頂部的單晶硅（或其它半導(dǎo)體）層從供體晶圓上剝離并鍵合到帶氧化層的handle wafer上。
傳統(tǒng)方法： 智能剝離技術(shù)，通常通過氫離子注入形成弱化層，再通過熱處理或機(jī)械劈裂實(shí)現(xiàn)分離。機(jī)械劈裂環(huán)節(jié)可能引入裂紋或應(yīng)力。
“KETT礱谷式"技術(shù)的價(jià)值：
開發(fā)一種納米級(jí)精度的機(jī)械-聲波復(fù)合剝離技術(shù)，像礱谷一樣在氫離子注入的弱化層施加一個(gè)高度局域化、可控的應(yīng)力波，實(shí)現(xiàn)“干凈利落"的分離，減少邊緣缺陷和碎片率。
提升剝離后供體襯底的表面質(zhì)量，使其可以像礱谷后的米粒一樣“光滑"，便于直接回收利用，降低材料成本。
場(chǎng)景： 在碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等寬禁帶半導(dǎo)體外延生長(zhǎng)前，襯底表面通常存在切割、研磨和拋光帶來(lái)的亞表面損傷層。這層“殼"會(huì)嚴(yán)重影響外延膜的質(zhì)量。
傳統(tǒng)方法： 化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）是主流，但可能留下化學(xué)殘留、產(chǎn)生微觀劃痕，且對(duì)SiC這種硬質(zhì)材料效率較低。
“KETT礱谷式"技術(shù)的價(jià)值：
光致聲波剝離技術(shù)： 使用超短脈沖激光（如飛秒激光）精確照射襯底表面極淺的區(qū)域。激光能量被吸收后轉(zhuǎn)化為精確控制的聲應(yīng)力波，這就像礱谷機(jī)精確的壓力一樣，將亞表面的損傷層“震松"并使其與下方完的美的晶體分離，然后通過溫和的清洗去除。
選擇性反應(yīng)粒子轟擊： 開發(fā)一種高度選擇性的等離子體，其中粒子的能量被精確控制，只夠打斷表面損傷層原子的鍵合，而不損傷下層完好晶體。這實(shí)現(xiàn)了在原子尺度上的“脫殼"。
場(chǎng)景： 將生長(zhǎng)在剛性襯底（如Si、藍(lán)寶石）上的高性能氮化鎵外延層轉(zhuǎn)移到硅基電路或柔性塑料襯底上，用于制造高性能射頻器件、Micro-LED或可穿戴設(shè)備。
傳統(tǒng)方法： 激光剝離是常用技術(shù)，但熱效應(yīng)可能損傷器件，且對(duì)于某些材料體系不適用。
“KETT礱谷式"技術(shù)的價(jià)值：
開發(fā)應(yīng)力工程輔助的界面分離技術(shù)。預(yù)先在外延層和襯底之間設(shè)計(jì)一個(gè)應(yīng)力層（如同礱谷中的“間隙"）。通過外部觸發(fā)（如熱、電、光），精確釋放該應(yīng)力層，實(shí)現(xiàn)外延層像“米粒脫殼"一樣從襯底上完整、低損傷地彈出。這種方法的關(guān)鍵在于對(duì)界面應(yīng)力的納米級(jí)精確設(shè)計(jì)與控制。
將KETT高精度礱谷技術(shù)的理念引入半導(dǎo)體制造，其核心潛在價(jià)值可以總結(jié)為：
極限化的低損傷： 追求在原子/近原子尺度完成操作，最大限度地保護(hù)材料的本征電學(xué)特性，提升最終器件的性能和良率。
界面處理的革命： 實(shí)現(xiàn)對(duì)異質(zhì)界面“弱連接"的精準(zhǔn)識(shí)別與利用，為先進(jìn)的層轉(zhuǎn)移和異質(zhì)集成開辟新道路。
工藝的精準(zhǔn)與智能化： 引入實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)與反饋控制（如同礱谷機(jī)的傳感器），使剝離或處理過程成為一個(gè)動(dòng)態(tài)的、可預(yù)測(cè)的閉環(huán)系統(tǒng)，而非開環(huán)的“配方"式工藝。
成本與效率的優(yōu)化： 通過提高剝離的成功率、襯底的回收率和工藝的通量，從長(zhǎng)遠(yuǎn)看有助于降低先進(jìn)半導(dǎo)體器件的制造成本。
結(jié)論：
“為半導(dǎo)體材料‘脫殼’"這一比喻，精準(zhǔn)地描繪了下一代外延前處理技術(shù)的發(fā)展方向——更溫和、更精準(zhǔn)、更智能。雖然我們無(wú)法直接將一臺(tái)稻谷礱谷機(jī)搬進(jìn)潔凈室，但KETT技術(shù)所蘊(yùn)含的“高精度、選擇性、低損傷"的哲學(xué)思想，正是推動(dòng)半導(dǎo)體材料工藝從“微米制造"邁向“原子制造"所需的關(guān)鍵突破。這不僅是技術(shù)的借鑒，更是一種方法的論和思維模式的啟迪，有望在第三代半導(dǎo)體、二維材料集成、量子芯片等前沿領(lǐng)域催生顛的覆性的工藝解決方案。
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